วัสดุแบบ 1 มิติ อัดแน่นไปด้วยพลังสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รุ่นต่อไป 

กลุ่มนักวิจัยที่นำโดย อเล็กซานเดอร์ เอ บาแลนดิน (Alexander A. Balandin) ศาสตราจารย์ด้านวิศวกรรมไฟฟ้าและคอมพิวเตอร์ในวิทยาลัยวิศวกรรมศาสตร์มาร์แลน แอนด์ โรสแมรึ่ ที่มหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย ริเวอร์ไซด์ค้นพบว่า โลหะเซอร์โคเนียม ไตรเทลลูไรด์ (zirconium tritelluride) หรือ ZrTe3 นาโนริบบอน (ZrTe3 nanoribbons) มีความสามารถรองรับกระแสไฟฟ้า ที่มีความหนาแน่นสูงเป็นพิเศษได้มากเกินกว่าโลหะธรรมดา เช่นทองแดง

ยุทธศาสตร์ใหม่ที่ดำเนินการโดยทีมมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย ริเวอร์ไซด์ ผลักดันการวิจัยจากวัสดุ 2 มิติสู่วัสดุ 1 มิติ ซึ่งถือเป็นความก้าวหน้าที่สำคัญสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รุ่นต่อไปในอนาคต

บาแลนดินกล่าวว่า “โลหะธรรมดามีลักษณะเป็น โพลีคริสตัลลีน (polycrystalline) ซึ่งพบเห็นเป็นส่วนใหญ่ พวกมันมีเส้นแบ่งขอบเขตของเกรน( grain boundaries) ซึ่งเกิดขึ้นเมื่อโลหะเย็นตัว และพื้นผิวหน้าที่ขรุขระ ที่ทำให้ให้อิเล็กตรอนกระจายออก” เขากล่าวว่า “ วัสดุกึ่ง 1 มิติเช่น ZrTe3 ประกอบด้วยกลุ่มอะตอมเดี่ยวแบบคริสตัลที่ไปในทิศทางเดียวกัน พวกมันไม่มีรอยแบ่งขอบเขตและมักมีผิวหน้าของอะตอมที่เรียบหลังจากการขัดผิว เราถือว่า การรับความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าสูงได้ใน ZrTe3 เป็นผลึกเดี่ยวตามธรรมชาติของวัสดุกึ่ง 1มิติ”

 ตามหลักการแล้ว วัสดุกึ่ง 1 มิติแบบนั้นถูกพัฒนาได้โดยตรงในเส้นลวดนาโน (nanowires) กับส่วนตัดที่มีปฏิสัมพันธ์กับกลุ่มของอะตอมแต่ละกลุ่ม จากการศึกษาในปัจจุบัน ระดับของกระแสไฟฟ้าที่ได้จากลวดควอนตัม ZrTe3 มีความหนาแน่นสูงกว่าที่ได้รับรายงานจากในโลหะหรือวัสดุ 1มิติชนิดอื่นๆ มันเกือบจะถึงระดับความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าในท่อนาโนคาร์บอนและกราฟีน

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขึ้นอยู่กับสายไฟแบบพิเศษ เพื่อนำข้อมูลระหว่างส่วนต่างๆของวงจรหรือระบบ ในฐานะที่เป็นผู้พัฒนาอุปกรณ์ขนาดเล็ก ชิ้นส่วนภายในของพวกมันต้องมีขนาดเล็กลง และอุปกรณ์เชื่อมต่อที่มีข้อมูลระหว่างชิ้นส่วนต้องมีขนาดเล็กที่สุด ซึ่งขึ้นอยู่กับว่ามีการกำหนดค่าไว้อย่างไร นาโนริบบอน ZrTe3 สามารถสร้างเป็นอุปกรณ์เชื่อมต่อหรือช่องอุปกรณ์ภายในแบบนาโนเมตรได้สำหรับส่วนประกอบของอุปกรณ์ที่เล็กที่สุด